AR251全极高灵敏度低电压霍尔开关
霍尔元件AR251是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，互补推挽输出。它是一种双磁极性磁感应开关，能够感应到磁体的N极和S极的磁场强度，AR251通过周期性休眠和唤醒工作，达到降低功耗的作用。，唤醒期间检测环境磁场强度，休眠状态保持**后输出状态。
霍尔磁性开关AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封装，适合用于越来越轻薄的便携移动设备中，所有封装都符合RoSH环保标准。低功耗，IDD=5uA
等同敏感N和S极
微功耗，IDD=5uA
工作电压：1.65-5.5V
互补推挽输出
灵敏度温漂小
高灵敏度
无铅封装：SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在特定温度以下将呈现极强的霍尔效应。
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。霍尔电位差UH的基本关系为:
UH=RHIB/d （1） RH=1/nq（金属） （2）
式中 RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁强度；d――导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同，此处从略。
由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其**点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。