ZEM-5热电性能分析系统
技术特点：
· 适用于研究开发各种热电材料和薄膜材料，提高测量精度
· 温度检测采用C型热电偶，**适合测量Si系列热电材料(SiGe, MgSi等) *HT型
· 真正可测基板上的纳米级薄膜（TF型）
· **大可测10MΩ高电阻材料
· 标准搭载欧姆接触自我诊断程序并输出V/I图表
· 基于日本工业标准JIS (热电能JIS 电阻率JIS R 1650-2)
|
|
ZEM-5HT |
ZEM-5HR |
ZEM-5LT |
ZEM-5TF |
|
特 点 |
高温型 |
高电阻型 **大电阻：10MΩ |
低中温型 |
薄膜型 可测在基板上形成的热电薄膜 |
|
温度范围 |
RT-1200℃ |
RT-800℃ |
-150℃-200℃ |
RT-500℃ |
|
样品尺寸 |
直径或正方形：2 to 4 mm2 ； 长度3 ～ 15mm |
成膜基板：宽2-4mm，厚0.4-12mm，长20mm 薄膜厚度：≥nm量级 薄膜样品与基板要求**缘 |
||
|
控温精度 |
±0.5K |
|||
|
测量精度 |
塞贝克系数：＜±７％； 电阻系数：＜±７％ |
|||
|
测量原理 |
塞贝克系数：静态直流电； 电阻系数：四端法 |
|||
|
测量范围 |
塞贝克系数：0.5μV/K_25V/K； 电阻系数：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ |
|||
|
分辨率 |
塞贝克系数：10nV/K； 电阻系数：10nOhm |
|||
|
气 氛 |
减压Ｈｅ |
|||