TK10A60D场效应晶体管**缘栅MOS管

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，骊微电子代理的场效应管具有如下特点。

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

TK10A60D**缘栅场效应管参数：

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 600 V

漏极连续电流: 10 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.75 Ohms

配置: Single

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220 SIS

封装: Tube

下降时间: 100 ns

栅极电荷 Qg: 25 nC

功率耗散: 45 W

上升时间: 55 ns

典型关闭延迟时间: 15 ns

TK10A60D场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等**势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管，骊微电子代理的TK10A60D因其具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被广泛得到应用。