KRI 射频离子源 RFICP 100
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数
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阳极 |
电感耦合等离子体 |
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**大阳极功率 |
600W |
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**大离子束流 |
> 300mA |
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电压范围 |
100-1200V |
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离子束动能 |
100-1200eV |
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气体 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-20 sccm |
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压力 |
< 0.5mTorr |
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离子光学, 自对准 |
OptiBeamTM |
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离子束栅极 |
10cm Φ |
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栅极材质 |
钼, 石墨 |
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离子束流形状 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
23.5 cm |
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直径 |
19.1 cm |
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锁紧安装法兰 |
10”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 100 应用**域
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下
美国 KRI 射频离子源 RFICP 100
美国 HVA 真空闸阀
德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD **域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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