考夫曼离子源创始人 Dr.Harold R.Kaufman
Kaufman 博士 1926年在美国出生, 1951年加入美国 NASA 路易斯研究中心, 60年代考夫曼博士发明了电子轰击离子推进器并以他的名字命名(考夫曼推进器). 1969年美国航空航天学会 AIAA 授予他 James H. Wyld 推进奖, 1970年考夫曼推进器赢得了IR 100 (前身研发100奖), 1971年考夫曼博士获得美国宇航局杰出服务奖.
2016年, 美国 NASA 宇航局将 Harold Kaufman 博士列入格伦研究中心名人堂
1978 年 Kaufman & Robinson, Inc 公司成立
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国科罗拉多州的柯林斯堡创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 简称 KRI, 研发生产商用宽束离子源和电源控制器. 为世界各地的高科技企业,真空系统设备商和研究机构提供**进的解决方案. 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
KRI 离子源主要产品
上海伯东美国 KRI 离子源是以真空为基础的加工工具, 在原子水平上与材料相互作用, 适用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 等, KRI 提供无栅极离子源和栅极离子源, 类型包含考夫曼离子源, 霍尔离子源, 射频离子源和电源控制器, 共计超过 25种规格, **累积销售 3500+ 台!
射频离子源 RFICP 系列技术规格:
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型号 |
RFICP 40 |
RFICP 100 |
RFICP 140 |
RFICP 220 |
RFICP 380 |
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Discharge 阳极 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
RF 射频 |
|
离子束流 |
>100 mA |
>350 mA |
>600 mA |
>800 mA |
>1500 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
4 cm Φ |
10 cm Φ |
14 cm Φ |
20 cm Φ |
30 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
3-10 sccm |
5-30 sccm |
5-30 sccm |
10-40 sccm |
15-50 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
12.7 cm |
23.5 cm |
24.6 cm |
30 cm |
39 cm |
|
直径 |
13.5 cm |
19.1 cm |
24.6 cm |
41 cm |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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考夫曼离子源 KDC 系列技术规格:
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型号 |
KDC 10 |
KDC 40 |
KDC 75 |
KDC 100 |
KDC 160 |
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Discharge 阳极 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
DC 电流 |
|
离子束流 |
>10 mA |
>100 mA |
>250 mA |
>400 mA |
>650 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
1 cm Φ |
4 cm Φ |
7.5 cm Φ |
12 cm Φ |
16 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
|||
|
流量 |
1-5 sccm |
2-10 sccm |
2-15 sccm |
2-20 sccm |
2-30 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
||||
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
11.5 cm |
17.1 cm |
20.1 cm |
23.5 cm |
25.2 cm |
|
直径 |
4 cm |
9 cm |
14 cm |
19.4 cm |
23.2 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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霍尔离子源 eH 系列技术规格:
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型号 |
eH 400 |
eH 1000 |
eH1000 xO2 |
eH 2000 |
eH 3000 |
|
Cathode/Neutralizer |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
F or HC |
HC |
|
阳极电压 |
50-300V |
50-300V |
100-300V |
50-300V |
50-250V |
|
电流 |
5A |
10A |
10A |
10A |
20A |
|
散射角度 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
>45 |
|
气体流量 |
2-25sccm |
2-50sccm |
2-50sccm |
2-75sccm |
5-100sccm |
|
高度 |
3.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
4.0“ |
6.0“ |
|
直径 |
3.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
5.7“ |
9.7“ |
|
水冷 |
可选 |
可选 |
可选 |
是 |
可选 |
KRI 离子源主要应用
作为一种新兴的材料加工技术, 上海伯东美国 KRI 考夫曼离子源凭借出色的技术性能, 协助您获得理想的薄膜和材料表面性能. 美国 KRI 考夫曼离子源主要应用于真空环境下的离子束辅助沉积, 纳米级的干式蚀刻和表面改性.
离子清洗和辅助镀膜: 霍尔离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和辅助镀膜
离子清洗和溅射镀膜: 射频离子源加装于真空腔内, 对样品进行预清洗和溅射镀膜
在高倍显微镜下检视脱膜测试
测试结果
--------- 使用其他品**离子源--- --------------------- 使用美国考夫曼 KRI RFICP 325 离子源 ----------------------
从上图可以清楚看出, 使用其他品**离子源, 样品存在崩边的问题; 使用上海伯东美国 KRI 离子源, 样品无崩边
多项专利
美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利, 在此**域中, KRI 离子源是公认的, KRI 团队成员撰写了超过 100篇文章, 出版物, 书籍和技术论文,为推进宽波束设备和材料加工**域行业的知识体系做出贡献!
上海伯东是美国考夫曼离子源 Kaufman & Robinson, Inc 中国总代理. 美国考夫曼公司离子源已广泛应用于离子溅射镀膜 IBSD. 考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射时靶材被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射工艺条件选择 RFICP 射频电源式考夫曼离子源或是 KDC 直流电原式考夫曼离子源.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗**生 台湾伯东: 王女士
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