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KRi 射频离子源应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD

起订量: 面议
价 格: 面议
品牌: KRI
供货总量: 面议
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-04-27 09:38
关注人数: 923
公司基本资料信息
伯东企业(上海)有限公司
     [诚信档案]
联系人 rachel(女士)    
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地区上海
地址上海市外高桥保税区希雅路33号17号楼B座3层,200131
您还可以:
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    KRI
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    自买家付款之日起 3 天内发货
  • 所在地:
    上海

上海伯东美国 KRi 射频离子源应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD
上海伯东客户某高校使用国产品**离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 必须中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐**终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.
上海伯东真空溅射镀膜机离子源改造方案:
根据客户 4寸基材和工艺条件, 推荐选用射频离子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自动控制器, 替换国产离子源后可以长时间工作( 时长>100h)!
1. 设备: 国产离子束溅射镀膜机 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 镀钽 Ta 单层非晶薄膜
3. 美国 KRi 射频离子源 RFICP 100, 气体:Ar gas
4. 离子源条件: Vb max:1200V ( 离子束电压 ), Ib max:>400mA ( 离子束电流 )
KRi射频离子源
KRi射频离子源
KRi射频离子源

上海伯东射频离子源 RFICP 100 主要技术规格:
小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流.

射頻功率

600W

离子束電流

> 400mA

离子束電壓

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2,其他

流量

5-20 sccm

工作压力

< 0.5mTorr

离子束栅极

10cm Φ

栅极材质

钼, 石墨

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000

高度

23.5 cm

直径

19.1 cm

安装法兰

10”CF 或 內置型 1”引入端子


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等**域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗**生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
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