上海伯东美国 KRi 射频离子源应用于国产离子束溅射镀膜机 IBSD
上海伯东客户某高校使用国产品**离子束溅射镀膜机用于金属薄膜制备, 工艺過程中, 国产离子源钨丝仅使用 18个小时就会烧断, 必须中断镀膜工艺更换钨丝, 无法满足长时间离子束溅射镀膜的工艺要求, 导致薄膜质量低的情况. 客户需要离子源的稳定工作时间不低于 48个小时, 经过伯东推荐**终改用美国 KRi 射频离子源 RFICP 100 替换原有的国产离子源, 单次工艺时间可以达到数百小时, 完全符合客户长时间镀膜的工艺要求, 维持高稳定离子束溅射工艺获得高品质薄膜.
上海伯东真空溅射镀膜机离子源改造方案:
根据客户 4寸基材和工艺条件, 推荐选用射频离子源 RFICP 100, 配置中和器 (LFN) 和自动控制器, 替换国产离子源后可以长时间工作( 时长＞100h)！
1. 设备: 国产离子束溅射镀膜机 IBSD
2. 基材: 4寸 wafer, 镀钽 Ta 单层非晶薄膜
3. 美国 KRi 射频离子源 RFICP 100, 气体：Ar gas
4. 离子源条件: Vb max:1200V ( 离子束电压 ), Ib max:＞400mA ( 离子束电流 )
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上海伯东射频离子源 RFICP 100 主要技术规格:
小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流.
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射頻功率 |
600W |
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离子束電流 |
> 400mA |
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离子束電壓 |
100-1200eV |
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气体 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-20 sccm |
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工作压力 |
< 0.5mTorr |
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离子束栅极 |
10cm Φ |
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栅极材质 |
钼, 石墨 |
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离子束流形状 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
23.5 cm |
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直径 |
19.1 cm |
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安装法兰 |
10”CF 或 內置型 1”引入端子 |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等**域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
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