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KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用

起订量: 面议
价 格: 面议
品牌: KRI
供货总量: 面议
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-05-04 12:00
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公司基本资料信息
伯东企业(上海)有限公司
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地区上海
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    上海

上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼品** RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和  IBD 离子束沉积是其典型的应用.
KRi 离子源


KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板

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