电子系统在快速发展, 但是磁性器件二维化而引发与三维块材迥异的特性和制备工艺与半导体技术难以兼容的问题仍未能很好的解决. 因此 MnZn铁氧体作为一种**良磁性器件用磁性材料, 对其进行薄膜化并研究其特性, 乃至**终制作成平面化、小型化的磁性器件显得尤为重要.
四川某实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积方法在 Si(100)/ Si(111) 和玻璃基片上原位沉积 MnZn 铁氧体薄膜, 用以研究 MnZn 铁氧体薄膜的低温晶化、取向生长等问题.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 MnZn 铁氧体薄膜, 沉积过程中通过调节参数, 从而改变薄膜厚度、晶粒尺寸, 得到多种规格的高性能的 MnZn 铁氧体薄膜材料, 满足各种试验需求.
KRI 离子源的**特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品**的指定代理商.
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