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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 制备NGZO薄膜

起订量: 面议
价 格: 面议
品牌: KRI
供货总量: 面议
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 上海
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-07-12 11:24
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公司基本资料信息
伯东企业(上海)有限公司
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地区上海
地址上海市外高桥保税区希雅路33号17号楼B座3层,200131
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    上海

上海某大学实验室采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 通入氩气和氮气, 在流量比分别为 25/1025/2025/2525/30 ((mL/min)/(mL/min))条件下制备 NGZO 薄膜.

 

伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:

型号

RFICP140

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>600 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

14 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

5-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

24.6 cm

直径

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

实验室通过 XRD  SEM 对薄膜的物相结构和表面形貌进行分析,通过紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜透过率和载流

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